各有關(guān)單位：
根據(jù)《中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)管理辦法》的相關(guān)規(guī)定，現(xiàn)批準(zhǔn)發(fā)布四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)和名稱如下：
1. T/IAWBS 001-2017 《碳化硅單晶》
2. T/IAWBS 002-2017 《碳化硅外延片表面缺陷測(cè)試方法》
3. T/IAWBS 003-2017 《碳化硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法》
4. T/IAWBS 004-2017 《電動(dòng)汽車用功率半導(dǎo)體模塊可靠性試驗(yàn)通用要求及試驗(yàn)方法》
上述四項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)自2017年12月20日發(fā)布，自2017年12月31日起實(shí)施。
現(xiàn)予公告!
附件：中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布公告
中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2017年12月31日 | 
